APTGT75A60T1G

Microsemi Corporation为航空与国防、通信、数据中心与工业市场提供全面的半导体和系统解决方案产品组合。

产品包括高性能和抗辐射模拟混合信号集成电路、FPGA、SoC和ASIC;电源管理产品;计时和同步设备以及精密时间解决方案、设定时间世界标准;

语音处理设备;射频解决方案;离散式元件;企业存储和通信解决方案、安全技术与可扩展防篡改产品;以太网解决方案;以太网供电集成电路和中跨

设备;以及定制设计能力与服务。

产品属性

制造商: Microchip
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极******电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
Pd-功率耗散: 250 W
封装 / 箱体: SP-1
最小工作温度: - 40 C
******工作温度: + 175 C
封装: Tube
高度: 11.5 mm 
长度: 51.6 mm 
工作温度范围: - 40 C to + 175 C 
技术: Si 
宽度: 40.8 mm 
商标: Microchip / Microsemi 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极******电压: 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 1 
子类别: IGBTs 
单位重量: 80 g