1200 V，800 A 半桥IGBT模块

62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制第7代二极管。也可提供预涂导热介质版本。

特征描述                                                      

• 现有封装具有更高的电流能力，支持在相同的框架尺寸下增大逆变器输出功率

• 最高功率密度

• 避免IGBT模块并联

• 通过简化逆变器系统降低系统成本

• 灵活性

• 最高可靠性

优势

• 最高功率密度

• 一流的VCE,sat

• Tvj op = 175 °C过载

• 高爬电距离和电气间隙

• 符合RoHS标准

• 4 kV AC下 1分钟绝缘

• 封装的CTI > 400

• 通过UL/CSA的UL1557 E83336认证

应用领域

• 48V 配电

• Motor Control

• 储能系统-英飞凌(Infineon)官网

• 集中式逆变器解决方案

• 商用、建筑和农用车辆 (CAV)

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